ОБЪЯВЛЕНИЕ О ЗАЩИТЕ ДИССЕРТАЦИИ
Соискатель: Копьев Виктор Васильевич

Шифр совета:Д 212.267.07
Вид диссертации:кандидатская
Тема диссертации:Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
Специальность:01.04.10 - Физика полупроводников

Работа выполнена в Национальном исследовательском Томском государственном университете
Научный руководитель: канд. физ.-мат. наук Прудаев Илья Анатольевич

Дата защиты: 12/26/2019 г.
Место защиты: г. Томск, пл. Ново-Соборная, 1, главный корпус СФТИ ТГУ, аудитория 211
Официальный оппонент: д-р техн. наук, профессор Смирнов Серафим Всеволодович
профессор кафедры физической электроники, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, г. Томск
Официальный оппонент: канд. физ.-мат. наук Николаев Владимир Иванович
ведущий научный сотрудник – заведующий лабораторией Физики профилированных кристаллов, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Ведущая организация: Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск

  Диссертация
    Открыть, размещено 17.09.2019 г.
   

  Сведения о научном руководителе (руководителях)
    Открыть, размещено 21.10.2019 г.
   

  Отзыв научного руководителя (руководителей)
    Открыть, размещено 21.10.2019 г.
   

  Решение о принятии к защите
    Открыть, размещено 21.10.2019 г.
   

  Автореферат
    Открыть, размещено 21.10.2019 г.

  Сведения об официальных оппонентах,
  согласия на назначение
    Открыть, размещено 21.10.2019 г.
    Открыть, размещено 21.10.2019 г.
   

  Отзывы официальных оппонентов
    Материалов нет

  Сведения о ведущей организации,
  согласие на назначение
    Открыть, размещено 21.10.2019 г.
   

  Отзыв ведущей организации
    Материалов нет

  Отзывы на автореферат
    Материалов нет

  Сведения о результатах защиты диссертации
    Материалов нет